多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺

发布时间：2025-04-23 04:58

　　 基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6～9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验设计
    1.1 光栅周期和刻蚀深度的设计
    1.2 小球刻蚀半径的计算
2 实验过程
    2.1 小球铺设
    2.2 RIE刻蚀小球半径
    2.3 ICP刻蚀GaAs
    2.4 光栅表面小球的去除
3 结果和讨论
    3.1 PS小球铺设均匀性分析
    3.2 RIE刻蚀时间与小球直径的变化关系
    3.3 刻蚀GaAs时刻蚀时间与刻蚀深度的关系
    3.4 傅里叶光谱仪结果分析
4 结论



本文编号：4041257